Pat Gelsinger, ex-CEO da Intel, voltou a criticar a High-Bandwidth Memory (HBM), classificando-a como “uma arquitetura de memória problemática”. Apesar das ressalvas, ele admite que, atualmente, é a melhor opção disponível.
A situação no mercado de memórias se agrava, com a fabricante de memórias Nanya prevendo que a escassez de chips DRAM se estenderá até o início de 2028, em parte devido à mudança de foco na produção para HBM.
Limitações técnicas da HBM
Na visão de Gelsinger, a HBM apresenta várias desvantagens, entre elas:
- Menor capacidade de armazenamento por área
- Limitações na velocidade de transferência nas bordas
- Consumo elevado de energia e problemas térmicos em altas temperaturas
- Concentração de componentes que afeta ativamente cargas de trabalho de inteligência artificial
Ele já havia se manifestado sobre o assunto anteriormente, durante a RAISE Summit, onde usou termos como “péssima” para descrever a HBM, reafirmando agora suas críticas com novos argumentos técnicos.
Gargalo na largura de banda
Um dos pontos problemáticos da HBM está na conexão física, ou PHY, que conecta o processador aos chips de memória empilhados. Esta conexão é culpada pela limitação na velocidade de transferência, representando um limite físico do formato atual.
A HBM3/3E opera com largura de barramento de 1.024 bits, enquanto a nova HBM4 chega a 2.048 bits. No entanto, essa configuração aumenta a complexidade das conexões e limita a quantidade de HBM que pode ser adicionada ao circuito integrado.
Impacto térmico e densidade de bits
Além do gargalo da largura de banda, o PHY provoca um aquecimento excessivo que compromete a eficiência da HBM. Quando o consumo da memória ultrapassa 30 Watts, ele se torna uma fonte significativa de estresse térmico.
A conexão dos chips de memória também exige um grande número de microfuros condutores (TSVs), resultando em menor capacidade de armazenamento, apesar da pilha completa oferecer maior densidade em milímetros quadrados.
Escassez de DRAM e produção de HBM
A HBM consome cerca de três vezes mais wafers de silício do que a DRAM comum, contribuindo para a crise de oferta no mercado. A Nanya alega que essa falta de equilíbrio persiste devido à transição para a produção de HBM.
A mudança da fabricação para memórias HBM em vez de memórias DRAM comuns é a causa de uma escassez que não tem previsão de fim.
Portanto, a combinação das críticas de Gelsinger e as projeções de oferta restrita indicam que o mercado de memórias enfrentará tensões significativas nos próximos anos.
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